“第二金属层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11436356个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包含碱金属和第二金属的金属层-CN201680065408.4在审
发明人：托马斯·卡里兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;杰罗姆·加尼耶;乌韦·戈尔弗特;维金塔斯·扬库什;卡斯滕·罗特;本杰明·舒尔策;斯特芬·维尔曼 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
金属层金属选金属碱金属半导体层电子器件基质材料共价制备

[发明专利]第二表面金属化法-CN200780042178.0有效
发明人：肯尼思·克劳斯;史蒂文·艾伯特;安德鲁·卡梅伦 -专利权人：麦克德米德有限公司
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及第二表面金属化法。提供了一种对透明或半透明的非导体基材有选择地进行金属化的方法，包括下列步骤：1)用可剥离的盖片遮盖非导体基材前表面的至少一部分；2)调节并活化非导体基材，以在其上接受金属镀敷；3)移除可剥离的盖片；以及因此，非导体基材被可剥离的盖片遮盖的部分保持未被镀敷，这样，能够透过基材的前表面看到金属镀层。非导体基材可为由模制的塑料薄膜得到的三维模制基材。
第二表面金属化

[发明专利]第二层协议层的无速率译码-CN202180060229.2在审
发明人：郑瑞明;许昌龙;李剑;刘康琦;武良明;程鹏;徐晧;朱西鹏 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：发送设备可以在发送设备的第二层(L2)层接收一个或多个服务数据单元。发送设备可以在L2层根据一个或多个网络译码参数对一个或多个SDU进行编码，以获得至少一个编码的协议数据单元(PDU)，该一个或多个网络译码参数包括无速率码。发送设备可以将至少一个编码的PDU和至少一个对应的PDU报头从L2层输出到发送设备的较低层以传输到一个或多个接收设备。
第二协议速率译码

[发明专利]第二层协议层的无速率译码-CN202180060285.6在审
发明人：郑瑞明;许昌龙;李剑;刘康琦;武良明;程鹏;徐晧;朱西鹏 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：发送设备可以在发送设备的第二层(L2)层，根据网络译码参数集对服务数据单元(SDU)集进行编码，以获得第一协议数据单元(PDU)集。发送设备可以向一个或多个接收设备发送第一PDU集。发送设备可以至少部分地基于接收到的报告，向一个或多个接收设备发送对应于SDU集中的至少该SDU的一个或多个PDU的第二PDU集。
第二协议速率译码

[发明专利]包含第一和第二亚层的定向层-CN02820337.2无效
发明人： J·T·A·维尔德贝克;D·J·布勒尔;C·巴斯蒂安森 -专利权人：荷兰聚合物学会基金会
申请日： 2002-09-23 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明涉及能够使液晶材料定向的定向层，所述定向层包含：具有能够使液晶材料以第一定向进行定向的区域的第一亚层，具有能够使液晶材料以第二定向进行定向的区域的第二亚层，所述第一和第二定向是不同的，所述第二亚层叠置在第一亚层上，并以预定的图案覆盖第一亚层，以在需要的位置上提供能够使液晶材料定向的第二亚层区域，和在需要位置上提供未被第二亚层覆盖的底层的第一亚层的区域。本发明还涉及制备所述定向层的方法。本发明另外还涉及包含所述定向层的光学或光电器件。
包含第一第二定向

[发明专利]集成电路-CN202010368022.9在审
发明人：彭士玮;庄惠中;曾健庭;林威呈;吴国晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：一种集成电路包括第一金属层，此第一金属层具有邻近于第一边界的第一第一金属层条带及邻近于第二边界的第二第一金属层条带，第二边界与第一边界相对。第一第一金属层条带及第二第一金属层条带、第一边界及第二边界彼此平行。电路进一步包括第二金属层，此第二金属层具有第一第二金属层条带及邻近于第一第二金属层条带的第二第二金属层条带。第一第二金属层条带在第一第一金属层条带处连接第一金属层条带及第二第二金属层条带在第二第一金属层条带处连接第一金属层条带。第一第二金属层条带及第二第二金属层条带中的每一者彼此平行。
集成电路

[发明专利]第二层交换和对第二层帧扩展虚拟局域网标签的处理方法-CN200310113212.2有效
发明人：夏目英史;山下泰隆 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-11-05 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：通过根据帧传输目标的网络来重写扩展VLAN标签，第二层交换允许在不同的第二层网络之间进行通信，并且，通过重写扩展VLAN标签，可获得与通过将扩展VLAN标签应用到第三及后面阶段所获得的相同效果。
第二交换扩展虚拟局域网标签处理方法

[发明专利]带有具有锌-第二金属-铜复合层的通孔的半导体器件-CN202080017522.6在审
发明人： N·达沃德 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：/base:Sub>、T2)的至少一种电路功能的电路系统(180)，该半导体表面层包括具有位于多个晶体管上方的至少一个贯穿通孔(121至124)的至少一个介电层(第一顶部层级通孔和横向于该第一顶部层级通孔的第二顶部层级通孔包括复合层168，该复合层包括铜(Cu)、包括Zn的第一金属以及第二金属，其中复合层位于耦合至贯穿通孔的势垒层127上。第一Cu顶部金属迹线141位于第一顶部层级通孔上，并且第二Cu金属迹线142位于第二顶部层级通孔上。
带有具有第二金属复合半导体器件

[发明专利]一种芯片以及电子设备-CN201711456835.8在审
发明人：蒋其梦;崔晓娟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片以及电子设备，以释放前道介质层更多的内部空间。芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层；第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层，第一金属层与第二金属层设于前道介质层上，第一金属层以及第二金属层之间用于设置MIM电容，第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层电连接，第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层电连接；前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层，第一金属层与第一前道金属层电连接，第二金属层与第二前道金属层电连接，第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层，第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层。
介质层第二金属层第一金属层金属层金属极电子设备金属层电芯片电连接填充侧面引入释放申请

[实用新型]牛顿第二定律层式分析演示仪-CN02213136.1无效
发明人：杭清平 -专利权人：杭清平
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： G09B23/10 文献下载
摘要：牛顿第二定律层式分析演示仪，它由上下结构完全相同的两部分组成，每层由气垫导轨、滑块、定位针、电磁铁、导电槽、导电板组成。定位针插接在气垫导轨上的滑块上面，定位针下端插入导电槽中的导电液里。本实用新型是为了讲述牛顿第二定律而设计的一种能够真正使两物体同时运动，同时定位的教学仪器，突破了多年来在这方面难予解决的问题。
牛顿第二定律分析演示

[发明专利]第二层交换网络系统-CN200480042251.0无效
发明人：清水桂一;黑田正博 -专利权人：三菱电机株式会社;独立行政法人情报通信研究机构
申请日： 2004-03-03 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：一种第二层交换网络系统，具备：Radius服务器，对边缘交换机通知被分配给终端的临时MAC地址；以及边缘交换机，从Radius服务器取得临时MAC地址，并存储将所取得的临时MAC地址与真实MAC地址对应起来的交换数据
第二交换网络系统

[发明专利]无纺第二层地毯底布-CN200380107274.0无效
发明人：理查德·福克纳;郝平;佩尔·林德布卢姆 -专利权人：帕里莫集团有限公司
申请日： 2003-10-22 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： D04H5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造无纺织物的方法，该无纺织物显示明显的持久的三维图像，允许在地毯底布系统的第二层地毯底布中使用该织物以便减少在正常使用(行走)下的变形并且在地毯系统应用中提供更好的覆盖。
第二地毯

[发明专利]第二视图-CN201210193237.7有效
发明人： M·塞利姆 -专利权人： Z124公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及第二视图。更具体而言，涉及用于在电子设备上显示信息的系统具有第一触屏显示器和第二触屏显示器。当用户在第一触屏显示器上录入输入时，第二触屏显示器显示在第一触屏显示器上的用户输入的结果。备选地，第一显示器和第二显示器构成单个更大屏幕。单个应用可以将显示器作为不同设备对待。触屏显示器可以专用于单个应用或者专用于应用的单个实例，从而两个显示器可以运行不同应用或者运行相同应用的不同实例。
第二视图

[发明专利]半导体发光装置-CN201610012015.9有效
发明人：小幡进;小岛章弘 -专利权人：阿尔发得株式会社
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排，与第一区域电性连接，第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。
半导体发光装置

[发明专利]磁存储器和制造磁存储器的方法-CN201480076776.X有效
发明人：园田康幸;中山昌彦;李敏硕;吉川将寿;杉浦邦晃;黄智焕 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。
磁存储器制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条